Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን ኢንጎት

መግለጫ

ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን ኢንጎትis ብዙውን ጊዜ አድጓል። እንደ ትልቅ ሲሊንደሪክ ኢንጎት በትክክለኛ ዶፒንግ እና በመጎተት ቴክኖሎጂዎች Czochralski CZ፣ Magnetic field induced Czochralski MCZ እና Floating Zone FZ ዘዴዎች።ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎችን ለማምረት በኤሌክትሮኒክስ ኢንዱስትሪ ውስጥ እስከ 300 ሚሊ ሜትር ድረስ ትላልቅ የሲሊንደሪክ ኢንጎቶች ለሲሊኮን ክሪስታል እድገት የ CZ ዘዴ በሰፊው ጥቅም ላይ ይውላል።MCZ ዘዴ በኤሌክትሮማግኔት የተፈጠረ መግነጢሳዊ መስክ የተፈጠረ የCZ ዘዴ ልዩነት ሲሆን ይህም በአንፃራዊነት ዝቅተኛ የኦክስጂን ትኩረትን ማግኘት ይችላል ፣ የንፅህና መጠኑን ዝቅ ማድረግ ፣ ዝቅተኛ ቦታን መበታተን እና ወጥ የመቋቋም ችሎታ ልዩነት።የ FZ ዘዴ ከ 1000 Ω-ሴ.ሜ በላይ ከፍተኛ የመቋቋም ችሎታ እና ዝቅተኛ የኦክስጂን ይዘት ያለው ከፍተኛ-ንፅህና ክሪስታልን ያመቻቻል።

ማድረስ

ነጠላ ክሪስታል ሲሊኮን ኢንጎት CZ፣ MCZ፣ FZ ወይም FZ NTD ከኤን-አይነት ወይም ፒ-አይነት ኮንዳክሽን በዌስተርን ሚንሜታልስ (ኤስ.ሲ) ኮርፖሬሽን በ50ሚሜ፣ 75ሚሜ፣ 100ሚሜ፣ 125ሚሜ፣ 150ሚሜ እና 200ሚሜ ዲያሜትር (2፣ 3) ሊደርስ ይችላል። ፣ 4፣ 6 እና 8 ኢንች)፣ አቅጣጫ <100>፣ <110>፣ <111> በፕላስቲክ ከረጢት ፓኬጅ ውስጥ ከውስጥ ከካርቶን ሳጥን ውጭ ወይም እንደ ብጁ ዝርዝር መግለጫ ወደ ፍፁም መፍትሄ መድረስ።

አሁን ይጠይቁ

ዝርዝሮች

መለያዎች

ቴክኒካዊ መግለጫ

ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን ኢንጎት

ነጠላ ክሪስታል ሲሊኮን ኢንጎት CZ፣ MCZ፣ FZ ወይም FZ NTDበምእራብ ሚንሜታልስ (ኤስ.ሲ) ኮርፖሬሽን በ n-type ወይም p-type conductivity በ 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm and 200mm diameter (2, 3, 4, 6 and 8 ኢንች)፣ አቅጣጫ <100 >፣ <110>፣ <111> በፕላስቲክ ከረጢት ፓኬጅ ከውስጥ ከካርቶን ሳጥን ውጭ ወይም እንደ ብጁ ገለፃ በመሬት ላይ የተቀመጠ።

አይ.	እቃዎች	መደበኛ ዝርዝር
1	መጠን	2"፣3"፣4"፣5"፣6"""8""9.5"፣10"፣12"
2	ዲያሜትር ሚሜ	50.8-241.3, ወይም እንደ አስፈላጊነቱ
3	የእድገት ዘዴ	CZ፣ MCZ፣ FZ፣ FZ-NTD
4	የምግባር አይነት	ፒ-አይነት / ቦሮን ዶፔድ ፣ ኤን-አይነት / ፎስፋይድ ዶፔድ ወይም ያልተስተካከለ
5	ርዝመት ሚሜ	≥180 ወይም እንደአስፈላጊነቱ
6	አቀማመጥ	<100>፣ <110>፣ <111>
7	የመቋቋም ችሎታ Ω-ሴሜ	እንደአስፈላጊነቱ
8	የካርቦን ይዘት ሀ/ሴሜ³	≤5E16 ወይም እንደአስፈላጊነቱ
9	የኦክስጅን ይዘት a/ሴሜ³	≤1E18 ወይም እንደአስፈላጊነቱ
10	የብረታ ብረት ብክለት a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) ወይም <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	ማሸግ	የፕላስቲክ ከረጢት ከውስጥ፣ ከፖስታ ወይም ከካርቶን ሳጥን ውጭ።

ምልክት	Si
የአቶሚክ ቁጥር	14
የአቶሚክ ክብደት	28.09
ኤለመንት ምድብ	ሜታሎይድ
ቡድን፣ ጊዜ፣ አግድ	14፣ 3፣ ፒ
ክሪስታል መዋቅር	አልማዝ
ቀለም	ጥቁር ግራጫ
መቅለጥ ነጥብ	1414 ° ሴ, 1687.15 ኪ
የፈላ ነጥብ	3265°ሴ፣ 3538.15 ኪ
ጥግግት በ 300 ኪ	2.329 ግ / ሴሜ³
ውስጣዊ ተቃውሞ	3.2E5 Ω-ሴሜ
የ CAS ቁጥር	7440-21-3
ኢሲ ቁጥር	231-130-8

ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን ኢንጎትሙሉ በሙሉ ሲያድግ እና የመቋቋም ችሎታውን ፣የቆሻሻውን ይዘት ፣የክሪስታል ፍፁምነት ፣መጠን እና ክብደትን በመጠቀም የአልማዝ ጎማዎችን በመጠቀም ለትክክለኛው ዲያሜትር ፍጹም የሆነ ሲሊንደር ያደርገዋል ፣ከዚያም በመፍጨት ሂደት የሚቀሩ ሜካኒካል ጉድለቶችን ለማስወገድ የማሳከሚያ ሂደት ይከናወናል ። .ከዚያም የሲሊንደሪክ ኢንጎት የተወሰነ ርዝመት ባላቸው ብሎኮች የተቆረጠ ሲሆን የታችኛው ተፋሰስ የመቁረጥ ሂደት ከመጀመሩ በፊት ክሪስታሎግራፊያዊ አቅጣጫውን እና ኮንዳክሽንን ለመለየት በአውቶሜትድ የዋፈር አያያዝ ስርዓቶች ደረጃ እና የመጀመሪያ ወይም ሁለተኛ ደረጃ ጠፍጣፋ ይሰጠዋል ።