ጋሊየም አርሴንዲድ ጋአስ

መግለጫ

ጋሊየም አርሴንዲድጋአስ ነው ሀ ቀጥተኛ ባንድ ክፍተት ውሁድ ሴሚኮንዳክተር ቡድን III-V ቢያንስ በ 6N 7N ከፍተኛ ንፅህና ጋሊየም እና አርሴኒክ ኤለመንት, እና በ VGF ወይም LEC ሂደት ከ ከፍተኛ ንጽህና polycrystalline ጋሊየም አርሴናይድ, ግራጫ ቀለም መልክ, ዚንክ-ብሌንደር መዋቅር ጋር ኪዩቢክ ክሪስታሎች በ ያደገው ክሪስታል.ካርቦን ፣ ሲሊከን ፣ ቴልዩሪየም ወይም ዚንክን በመጠቀም n-አይነት ወይም ፒ-አይነት እና ከፊል-ኢንሱላላይት ኮንዳክሽን ለማግኘት በቅደም ተከተል ፣ ሲሊንደሪካል ኢንአስ ክሪስታል ተቆርጦ ወደ ባዶ ሊሰራ ይችላል እና እንደ ተቆርጦ ፣ ተቀርጿል ፣ የተጣራ ወይም ኤፒ. - ለ MBE ወይም MOCVD epitaxial እድገት ዝግጁ።ጋሊየም አርሴንዲድ ዋፈር በዋናነት እንደ ኢንፍራሬድ ብርሃን-አመንጪ ዳዮዶች፣ ሌዘር ዳዮዶች፣ ኦፕቲካል መስኮቶች፣ የመስክ-ተፅዕኖ ትራንዚስተሮች ኤፍኤቲዎች፣ የዲጂታል አይሲዎች መስመራዊ እና የፀሐይ ህዋሶች ያሉ ኤሌክትሮኒካዊ መሳሪያዎችን ለማምረት ያገለግላል።የGaAs ክፍሎች እጅግ በጣም ከፍተኛ በሆነ የሬዲዮ ፍጥነቶች እና ፈጣን የኤሌክትሮኒክስ መቀየሪያ አፕሊኬሽን፣ ደካማ የምልክት ማጉያ አፕሊኬሽኖች ጠቃሚ ናቸው።በተጨማሪም የጋሊየም አርሴንዲድ ንጣፍ ለ RF ክፍሎች ፣ ማይክሮዌቭ ፍሪኩዌንሲ እና ሞኖሊቲክ አይሲዎች እና የ LEDs መሳሪያዎች በኦፕቲካል ግንኙነቶች እና ቁጥጥር ስርዓቶች ውስጥ ለአዳራሹ ተንቀሳቃሽነት ፣ ለከፍተኛ ኃይል እና የሙቀት መረጋጋት ለማምረት ተስማሚ ቁሳቁስ ነው።

ማድረስ

Gallium Arsenide GaAs በዌስተርን ሚንሜታልስ (ኤስ.ሲ.) ኮርፖሬሽን እንደ ፖሊክሪስታሊን እብጠት ወይም ነጠላ ክሪስታል ዋይፈር በተቆረጠ፣ በተቀረጸ፣ በተለጠፈ ወይም ኤፒ-ዝግጁ ዋይፎች በ2” 3” 4” እና 6” (50ሚሜ፣ 75ሚሜ፣ 100ሚሜ፣ 150ሚሜ) ዲያሜትር፣ ከፒ-አይነት፣ n-አይነት ወይም ከፊል-ኢንሱላር ኮንዳክሽን ጋር፣ እና <111> ወይም <100> አቅጣጫ።ብጁ መግለጫው በዓለም ዙሪያ ላሉ ደንበኞቻችን ፍጹም መፍትሄ ነው።

አሁን ይጠይቁ

ዝርዝሮች

መለያዎች

ቴክኒካዊ መግለጫ

ጋሊየም አርሴንዲድ

ጋአስ

ጋሊየም አርሴንዲድ ጋአስዋፍሮች በዋናነት እንደ ኢንፍራሬድ ብርሃን አመንጪ ዳዮዶች፣ ሌዘር ዳዮዶች፣ ኦፕቲካል ዊንዶውስ፣ የመስክ-ተፅዕኖ ትራንዚስተሮች ኤፍኢቲዎች፣ የዲጂታል አይሲዎች መስመራዊ እና የፀሐይ ህዋሶች ያሉ የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን ለማምረት ያገለግላሉ።የGaAs ክፍሎች እጅግ በጣም ከፍተኛ በሆነ የሬዲዮ ፍጥነቶች እና ፈጣን የኤሌክትሮኒክስ መቀየሪያ አፕሊኬሽን፣ ደካማ የምልክት ማጉያ አፕሊኬሽኖች ጠቃሚ ናቸው።በተጨማሪም የጋሊየም አርሴንዲድ ንጣፍ ለ RF ክፍሎች ፣ ማይክሮዌቭ ፍሪኩዌንሲ እና ሞኖሊቲክ አይሲዎች እና የ LEDs መሳሪያዎች በኦፕቲካል ግንኙነቶች እና ቁጥጥር ስርዓቶች ውስጥ ለአዳራሹ ተንቀሳቃሽነት ፣ ለከፍተኛ ኃይል እና የሙቀት መረጋጋት ለማምረት ተስማሚ ቁሳቁስ ነው።

አይ.	እቃዎች	መደበኛ ዝርዝር
1	መጠን	2"	3"	4"	6"
2	ዲያሜትር ሚሜ	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3	100±0.5	150±0.5
3	የእድገት ዘዴ	ቪጂኤፍ	ቪጂኤፍ	ቪጂኤፍ	ቪጂኤፍ
4	የምግባር አይነት	N-Type/Si ወይም Te-doped፣ P-Type/Zn-doped፣ ከፊል-ኢንሱሌቲንግ/ያልተደረገ ዶፔድ
5	አቀማመጥ	(100) ± 0.5 °	(100) ± 0.5 °	(100) ± 0.5 °	(100) ± 0.5 °
6	ውፍረት μm	350± 25	625±25	625±25	650± 25
7	አቀማመጥ ጠፍጣፋ ሚሜ	17±1	22±1	32±1	ኖት
8	ጠፍጣፋ ሚሜ መለየት	7±1	12±1	18±1	-
9	የመቋቋም ችሎታ Ω-ሴሜ	(1-9) ኢ (-3) ለ p-አይነት ወይም n-አይነት፣ (1-10) E8 በከፊል መከላከያ
10	ተንቀሳቃሽነት ሴሜ 2/ vs	50-120 ለ p-አይነት፣ (1-2.5)E3 ለ n-አይነት፣ ≥4000 ለከፊል መከላከያ
11	ተሸካሚ ማጎሪያ ሴሜ-3	(5-50)E18 ለ p-አይነት፣ (0.8-4)E18 ለ n-አይነት
12	TTV μm ከፍተኛ	10	10	10	10
13	ቀስት μm ከፍተኛ	30	30	30	30
14	ከፍተኛው μm	30	30	30	30
15	ኢፒዲ ሴሜ-2	5000	5000	5000	5000
16	የገጽታ ማጠናቀቅ	ፒ/ኢ፣ ፒ/ፒ	ፒ/ኢ፣ ፒ/ፒ	ፒ/ኢ፣ ፒ/ፒ	ፒ/ኢ፣ ፒ/ፒ
17	ማሸግ	ነጠላ ዋፈር ኮንቴይነር በአሉሚኒየም በተቀነባበረ ቦርሳ ውስጥ ተዘግቷል።
18	አስተያየቶች	የሜካኒካል ደረጃ GaAs ዋፈር በተጠየቀ ጊዜም ይገኛል።

መስመራዊ ቀመር	ጋአስ
ሞለኪውላዊ ክብደት	144.64
ክሪስታል መዋቅር	የዚንክ ቅልቅል
መልክ	ግራጫ ክሪስታል ጠንካራ
መቅለጥ ነጥብ	1400°ሴ፣ 2550°ፋ
የፈላ ነጥብ	ኤን/ኤ
ጥግግት በ 300 ኪ	5.32 ግ / ሴሜ³
የኢነርጂ ክፍተት	1.424 ኢ.ቪ
ውስጣዊ ተቃውሞ	3.3E8 Ω-ሴሜ
የ CAS ቁጥር	1303-00-0
ኢሲ ቁጥር	215-114-8

ጋሊየም አርሴንዲድ ጋአስበዌስተርን ሚንሜታልስ (ኤስ.ሲ.) ኮርፖሬሽን በ2” 3” 4” እና 6” (50ሚሜ፣ 75ሚሜ፣ 100ሚሜ) መጠን እንደ ፖሊክሪስታሊን እብጠት ወይም ነጠላ ክሪስታል ዋይፈር በተቆራረጡ፣ በተቀረጹ፣ በተለጠፈ ወይም በኤፒ-ዝግጁ ዋይፎች ውስጥ ሊቀርብ ይችላል። ፣ 150ሚሜ) ዲያሜትር ፣ በፒ-አይነት ፣ n-አይነት ወይም ከፊል-ኢንሱላር ኮንዳክሽን ፣ እና <111> ወይም <100> አቅጣጫ።ብጁ መግለጫው በዓለም ዙሪያ ላሉ ደንበኞቻችን ፍጹም መፍትሄ ነው።