FZ NTD ሲሊከን ዋፈር

መግለጫ

FZ-NTD ሲሊከን ዋፈርተንሳፋፊ-ዞን ኒውትሮን ሽግግር Doped Silicon Wafer በመባል ይታወቃል።ኦክስጅን-ነጻ, ከፍተኛ ንጽሕና እና ከፍተኛ resistivity ሲሊከን ማግኘት ይቻላል ለy ተንሳፋፊ-ዞን FZ (ዞን-ተንሳፋፊ) ክሪስታል እድገት፣ ኤችigh resistivity FZ ሲሊከን ክሪስታል ብዙውን ጊዜ በኒውትሮን ትራንስሚውቴሽን ዶፒንግ (ኤንቲዲ) ሂደት የተደገፈ ነው፣ በዚህ ሂደት የኒውትሮን ጨረር ባልተሸፈነ ተንሳፋፊ ዞን ሲሊኮን ላይ የሲሊኮን ኢሶቶፖችን በኒውትሮን ተይዞ ወደሚፈለጉት ዶፓንቶች በመበስበስ የዶፒንግ ግቡን ለማሳካት።የኒውትሮን ጨረሮች ደረጃን በማስተካከል, ተከላካይነት ውጫዊ ዶፓንቶችን ሳያስተዋውቅ እና የቁሳቁስ ንፅህናን ማረጋገጥ ይቻላል.FZ NTD የሲሊኮን ዋፈርስ (Flaat Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) ወጥ የሆነ የዶፒንግ ትኩረት እና ወጥ የሆነ ራዲያል የመቋቋም ስርጭት ፣ ዝቅተኛው የንጽሕና ደረጃዎች ፣እና ከፍተኛ አናሳ ተሸካሚ የህይወት ዘመን።

ማድረስ

ተስፋ ሰጭ የሃይል አፕሊኬሽኖች ለኤንቲዲ ሲሊከን እንደ ገበያ መሪ አቅራቢ እና እያደገ የመጣውን ከፍተኛ የጥራት ደረጃ ዋፈር ፍላጎትን ተከትሎ የላቀ የFZ NTD ሲሊኮን ዋፈርበዌስተርን ሚሚታልስ (አ.ማ.) ኮርፖሬሽን ለደንበኞቻችን በተለያየ መጠን ከ2 ኢንች ፣ 3 ኢንች ፣ 4 ኢንች ፣ 5 እና 6 ኢንች ዲያሜትር (50 ሚሜ ፣ 75 ሚሜ ፣ 100 ሚሜ ፣ 125 ሚሜ እና 150 ሚሜ) እና የመቋቋም አቅም ባለው ሰፊ ክልል ሊቀርብ ይችላል ። ከ 5 እስከ 2000 ohm.cm በ <1-1-1>፣ <1-1-0>፣ <1-0-0> አቅጣጫዎች እንደተቆረጠ፣የተለጠፈ፣የተቀረጸ እና የተጣራ ላዩን አጨራረስ በአረፋ ሳጥን ወይም በካሴት ጥቅል ፣ ወይም እንደ ብጁ ዝርዝር ወደ ፍፁም መፍትሄ።

አሁን ይጠይቁ

ዝርዝሮች

መለያዎች

ቴክኒካዊ መግለጫ

FZ NTD ሲሊከን ዋፈር

የFZ NTD ሲሊከንን ለተስፋ ሰጪ የኃይል አፕሊኬሽኖች ገበያ መሪ አቅራቢ እንደመሆኖ እና እያደገ የመጣውን የጥራት ደረጃ ዋፈር ፍላጎት ተከትሎ በዌስተርን ሚንሜታልስ (ኤስ.ሲ.) ኮርፖሬሽን የላቀ FZ NTD silicon wafer በዓለም ዙሪያ ላሉ ደንበኞቻችን ከ 2 ጀምሮ በተለያየ መጠን ሊቀርብ ይችላል። ከ "እስከ 6" በዲያሜትር (50, 75, 100, 125 እና 150mm) እና ሰፊ የመቋቋም አቅም ከ 5 እስከ 2000 ohm-ሴሜ በ <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> አቅጣጫዎች ከታሸገ ፣ የተቀረጸ እና የተጣራ የገጽታ አጨራረስ በአረፋ ሳጥን ወይም በካሴት ፣ በካርቶን ሳጥን ውጭ ወይም እንደ ብጁ መግለጫ ወደ ፍፁም መፍትሄ።

አይ.	እቃዎች	መደበኛ ዝርዝር
1	መጠን	2"	3"	4"	5"	6"
2	ዲያሜትር	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3	100±0.5	125 ± 0.5	150±0.5
3	ምግባር	n-አይነት	n-አይነት	n-አይነት	n-አይነት	n-አይነት
4	አቀማመጥ	<100>፣ <111>፣ <110>
5	ውፍረት μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ወይም እንደአስፈላጊነቱ
6	የመቋቋም ችሎታ Ω-ሴሜ	36-44፣ 44-52፣ 90-110፣ 100-250፣ 200-400 ወይም እንደአስፈላጊነቱ
7	RRV ከፍተኛ	8% ፣ 10% ፣ 12%
8	TTV μm ከፍተኛ	10	10	10	10	10
9	ቀስት/ዋርፕ μm ከፍተኛ	30	30	30	30	30
10	የአገልግሎት አቅራቢ የህይወት ዘመን μs	> 200, > 300, > 400 ወይም እንደአስፈላጊነቱ
11	የገጽታ ማጠናቀቅ	እንደተቆረጠ፣የተለጠፈ፣የተወለወለ
12	ማሸግ	የአረፋ ሳጥን ከውስጥ፣ ውጭ ካርቶን ሳጥን።

መሰረታዊ የቁስ መለኪያ

ምልክት	Si
የአቶሚክ ቁጥር	14
የአቶሚክ ክብደት	28.09
ኤለመንት ምድብ	ሜታሎይድ
ቡድን፣ ጊዜ፣ አግድ	14፣ 3፣ ፒ
ክሪስታል መዋቅር	አልማዝ
ቀለም	ጥቁር ግራጫ
መቅለጥ ነጥብ	1414 ° ሴ, 1687.15 ኪ
የፈላ ነጥብ	3265°ሴ፣ 3538.15 ኪ
ጥግግት በ 300 ኪ	2.329 ግ / ሴሜ³
ውስጣዊ ተቃውሞ	3.2E5 Ω-ሴሜ
የ CAS ቁጥር	7440-21-3
ኢሲ ቁጥር	231-130-8

FZ-NTD ሲሊከን ዋፈርበከፍተኛ ሃይል፣ ፈላጊ ቴክኖሎጂዎች እና በሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎች ውስጥ በከፍተኛ ሁኔታ ውስጥ ለመስራት ወይም በዋፈር ላይ ዝቅተኛ የመቋቋም ልዩነት በሚያስፈልግበት ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎች ላይ ላሉ አፕሊኬሽኖች ትልቅ ጠቀሜታ ያለው ነው ፣እንደ በር-ማጥፋት thyristor GTO ፣ static induction thyristor SITH ፣ giant ትራንዚስተር GTR፣ ኢንሱሌት-ጌት ባይፖላር ትራንዚስተር IGBT፣ ተጨማሪ የHV diode ፒን።FZ NTD n-አይነት ሲሊከን ዋፈር ለተለያዩ ድግግሞሽ መቀየሪያ ፣ማስተካከያዎች ፣ትልቅ-ኃይል መቆጣጠሪያ አካላት ፣አዲስ ኃይል ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ፣የፎቶ ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ፣የሲሊኮን ማስተካከያ SR ፣ሲሊኮን መቆጣጠሪያ SCR እና እንደ ሌንሶች እና መስኮቶች ያሉ የኦፕቲካል አካላት እንደ ዋና ተግባራዊ ቁሳቁስ ነው። ለ terahertz መተግበሪያዎች.