CZ ሲሊከን ዋፈር

መግለጫ

CZ ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን ዋፈር ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎችን ለማምረት በኤሌክትሮኒክስ ኢንዱስትሪ ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው ለሲሊኮን ክሪስታል እድገት ለትላልቅ ሲሊንደሮች እድገት በ Czochralski CZ የእድገት ዘዴ ከተጎተተ ነጠላ ክሪስታል ሲሊኮን ኢንጎት የተቆረጠ ነው።በዚህ ሂደት ውስጥ ትክክለኛ የአቀማመጥ መቻቻል ያለው ቀጠን ያለ የክሪስታል ሲሊከን ዘር ወደ ቀለጠው የሲሊኮን መታጠቢያ ውስጥ ይገባል የሙቀት መጠኑ በትክክል ቁጥጥር የሚደረግበት።የዘሩ ክሪስታል ከቀለጡ በጣም ቁጥጥር ባለው ፍጥነት ቀስ ብሎ ወደ ላይ ይጎትታል ፣ ከፈሳሽ ደረጃ የአተሞች ክሪስታል ማጠናከሪያ በይነገጽ ላይ ይከሰታል ፣ የዘር ክሪስታል እና ክሩክሉ በዚህ የመውጣት ሂደት ውስጥ በተቃራኒ አቅጣጫ ይሽከረከራሉ ፣ ይህም ትልቅ ነጠላ ይፈጥራል። ክሪስታል ሲሊከን ከዘሩ ፍጹም ክሪስታል መዋቅር ጋር።

ለመደበኛው የCZ ኢንጎት መጎተት ለተተገበረው መግነጢሳዊ መስክ ምስጋና ይግባውና መግነጢሳዊ መስክ የተፈጠረ ዞቻራልስኪ MCZ ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን በንፅፅር ዝቅተኛ የንፅህና መጠበቂያ ፣ ዝቅተኛ የኦክስጂን ደረጃ እና መበታተን እና በከፍተኛ የቴክኖሎጂ ኤሌክትሮኒክ ክፍሎች እና መሳሪያዎች ውስጥ ጥሩ ውጤት ያለው አንድ ወጥ የመቋቋም ችሎታ ነው። በኤሌክትሮኒክስ ወይም በፎቶቮልታይክ ኢንዱስትሪዎች ውስጥ ማምረት.

ማድረስ

CZ ወይም MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type እና p-type conductivity at Western Minmetals (SC) Corporation በ2፣ 3፣ 4፣ 6፣ 8 እና 12 ኢንች ዲያሜትር (50፣ 75፣ 100፣ 125፣ 150፣ 200 እና 300ሚሜ)፣ አቅጣጫ <100>፣ <110>፣ <111> ላይ ላዩን አጨራረስ የታሸገ ፣የተለጠፈ እና በአረፋ ሳጥን ጥቅል ወይም ካሴት ከካርቶን ሳጥን ውጭ።

አሁን ይጠይቁ

ዝርዝሮች

መለያዎች

ቴክኒካዊ መግለጫ

CZ ሲሊከን ዋፈር

CZ ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን ዋፈር የተቀናጁ ወረዳዎች ፣ ዳዮዶች ፣ ትራንዚስተሮች ፣ discrete አካላት ፣ በሁሉም የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች እና ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎች ፣ እንዲሁም በ epitaxial ሂደት ውስጥ ፣ SOI wafer substrate ወይም ከፊል ማገጃ ውህድ ዋፈር ማምረት ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው መሠረታዊ ቁሳቁስ ነው ፣ በተለይም ትልቅ። እጅግ በጣም የተዋሃዱ መሳሪያዎችን ለማምረት የ 200 ሚሜ ፣ 250 ሚሜ እና 300 ሚሜ ዲያሜትር በጣም ጥሩ ነው።ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን በፎቶቮልታይክ ኢንዱስትሪ ለፀሃይ ህዋሶች በብዛት ጥቅም ላይ ይውላል፣ ይህም ፍፁም የሆነ ክሪስታል መዋቅር ከፍተኛውን ከብርሃን ወደ ኤሌክትሪክ የመቀየር ብቃትን ይሰጣል።

አይ.	እቃዎች	መደበኛ ዝርዝር
1	መጠን	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	ዲያሜትር ሚሜ	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3	100±0.5	150±0.5	200± 0.5	300 ± 0.5
3	ምግባር	ፒ ወይም ኤን ወይም ዶፔድ ያልተደረገ
4	አቀማመጥ	<100>፣ <110>፣ <111>
5	ውፍረት μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ወይም እንደአስፈላጊነቱ
6	የመቋቋም ችሎታ Ω-ሴሜ	≤0.005፣ 0.005-1፣ 1-10፣ 10-20፣ 20-100፣ 100-300 ወዘተ
7	RRV ከፍተኛ	8% ፣ 10% ፣ 12%
8	የመጀመሪያ ደረጃ ጠፍጣፋ/ርዝመት ሚሜ	እንደ ሴሚአይ መደበኛ ወይም እንደአስፈላጊነቱ
9	ሁለተኛ ደረጃ ጠፍጣፋ/ርዝመት ሚሜ	እንደ ሴሚአይ መደበኛ ወይም እንደአስፈላጊነቱ
10	TTV μm ከፍተኛ	10	10	10	10	10	10
11	ቀስት እና ዋርፕ μm ከፍተኛ	30	30	30	30	30	30
12	የገጽታ ማጠናቀቅ	እንደ ተቆርጦ፣ L/L፣ P/E፣ P/P
13	ማሸግ	የአረፋ ሳጥን ወይም ካሴት ከውስጥ፣ ካርቶን ሳጥን ውጭ።

ምልክት	Si
የአቶሚክ ቁጥር	14
የአቶሚክ ክብደት	28.09
ኤለመንት ምድብ	ሜታሎይድ
ቡድን፣ ጊዜ፣ አግድ	14፣ 3፣ ፒ
ክሪስታል መዋቅር	አልማዝ
ቀለም	ጥቁር ግራጫ
መቅለጥ ነጥብ	1414 ° ሴ, 1687.15 ኪ
የፈላ ነጥብ	3265°ሴ፣ 3538.15 ኪ
ጥግግት በ 300 ኪ	2.329 ግ / ሴሜ³
ውስጣዊ ተቃውሞ	3.2E5 Ω-ሴሜ
የ CAS ቁጥር	7440-21-3
ኢሲ ቁጥር	231-130-8

CZ ወይም MCZ ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን ዋፈርn-type እና p-type conductivity at Western Minmetals (SC) Corporation በ2፣ 3፣ 4፣ 6፣ 8 እና 12 ኢንች ዲያሜትር (50፣ 75፣ 100፣ 125፣ 150፣ 200 እና 300mm) መጠን ሊደርስ ይችላል። አቅጣጫ <100>፣ <110>፣ <111> ላይ ላዩን አጨራረስ እንደ ተቆርጦ፣ ታጥቆ፣ ተቀርጾ እና በፖም ፓኬጅ ወይም ካሴት ከካርቶን ሳጥን ውጭ።