ኢንዲየም አርሴንዲድ ኢንአስ

መግለጫ

ኢንዲየም አርሴንዲድ ኢንአስ ክሪስታል የ III-V ውሁድ ሴሚኮንዳክተር ነው ቢያንስ 6N 7N ንፁህ ኢንዲየም እና አርሴኒክ ኤለመንት እና በVGF ወይም Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) የተሰራ ነጠላ ክሪስታል፣ ግራጫ ቀለም መልክ፣ ኪዩቢክ ክሪስታሎች ከዚንክ-ብሌንድ መዋቅር ጋር። , የ 942 ዲግሪ ሴንቲ ግሬድ የማቅለጫ ነጥብ.የኢንዲየም አርሴንዲድ ባንድ ክፍተት ከጋሊየም አርሴንዲድ ጋር ተመሳሳይ የሆነ ቀጥተኛ ሽግግር ሲሆን የተከለከለው የባንድ ስፋት 0.45eV (300K) ነው።InAs ክሪስታል ከፍተኛ የኤሌክትሪክ መለኪያዎች ተመሳሳይነት፣ ቋሚ ጥልፍልፍ፣ ከፍተኛ የኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት እና ዝቅተኛ ጉድለት እፍጋት አለው።በVGF ወይም LEC የሚበቅለው ሲሊንደሪካል InAs ክሪስታል ተቆርጦ በዋፈር እንደ ተቆረጠ፣ተቀረጸ፣የተወለወለ ወይም ለኤምቢኢ ወይም ለMOCVD epitaxial እድገት ሊዘጋጅ ይችላል።

መተግበሪያዎች

ኢንዲየም አርሴናይድ ክሪስታል ዋፈር የሃውልት መሳሪያዎችን እና ማግኔቲክ ፊልድ ሴንሰርን ለከፍተኛው የአዳራሹ ተንቀሳቃሽነት ነገር ግን ለጠባብ ሃይል ባንድጋፕ ለመስራት በጣም ጥሩ መሳሪያ ሲሆን ከ1-3.8µm የሞገድ ርዝመት ያለው የኢንፍራሬድ ዳሳሾችን ለመስራት በጣም ጥሩ መሳሪያ ነው በከፍተኛ ሃይል መተግበሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው። በክፍል ሙቀት፣ እንዲሁም የመሃል ሞገድ ርዝመት የኢንፍራሬድ ሱፐር ላቲስ ሌዘር፣ የመሃል ኢንፍራሬድ ኤልኢዲዎች መሳሪያዎች ለ2-14 μm የሞገድ ርዝመቱ።በተጨማሪም InAs የተለያዩ የ InGaAsን፣ InAsSbን፣ InAsPSb እና InNAsSbን ወይም AlGaSb ሱፐር ጥልፍልፍ መዋቅርን ወዘተ የበለጠ ለመደገፍ ተመራጭ ነው።

አሁን ይጠይቁ

ዝርዝሮች

መለያዎች

ቴክኒካዊ መግለጫ

ኢንዲየም አርሴንዲድ

ኢንአስ

ኢንዲየም አርሴንዲድ ክሪስታል ዋፈርየሆል መሳሪያዎችን እና ማግኔቲክ ፊልድ ዳሳሽ ለከፍተኛው አዳራሽ ተንቀሳቃሽነት ነገር ግን ጠባብ የኢነርጂ ባንድጋፕ ለመስራት በጣም ጥሩ ቁሳቁስ ነው ፣ ከ1-3.8µm የሞገድ ርዝመት ያለው የኢንፍራሬድ መመርመሪያ በክፍል ሙቀት ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል ። እንዲሁም የመሃል የሞገድ ርዝመት የኢንፍራሬድ ሱፐር ላቲስ ሌዘር፣ የመሃል ኢንፍራሬድ ኤልኢዲዎች መሳሪያዎች ለ2-14 μm የሞገድ ርዝመቱ።በተጨማሪም InAs የተለያዩ የ InGaAsን፣ InAsSbን፣ InAsPSb እና InNAsSbን ወይም AlGaSb ሱፐር ጥልፍልፍ መዋቅርን ወዘተ የበለጠ ለመደገፍ ተመራጭ ነው።

አይ.	እቃዎች	መደበኛ ዝርዝር
1	መጠን	2"	3"	4"
2	ዲያሜትር ሚሜ	50.5 ± 0.5	76.2 ± 0.5	100±0.5
3	የእድገት ዘዴ	LEC	LEC	LEC
4	ምግባር	P-type/Zn-doped፣ N-type/S-doped፣ Un-doped
5	አቀማመጥ	(100) ± 0.5 °, (111) ± 0.5 °
6	ውፍረት μm	500± 25	600± 25	800±25
7	አቀማመጥ ጠፍጣፋ ሚሜ	16 ± 2	22±2	32±2
8	ጠፍጣፋ ሚሜ መለየት	8±1	11 ± 1	18±1
9	ተንቀሳቃሽነት ሴሜ 2/ቪ	60-300፣ ≥2000 ወይም እንደአስፈላጊነቱ
10	ተሸካሚ ማጎሪያ ሴሜ-3	(3-80) E17 ወይም ≤5E16
11	TTV μm ከፍተኛ	10	10	10
12	ቀስት μm ከፍተኛ	10	10	10
13	ከፍተኛው μm	15	15	15
14	የመፈናቀል ጥግግት ሴሜ-2 ቢበዛ	1000	2000	5000
15	የገጽታ ማጠናቀቅ	ፒ/ኢ፣ ፒ/ፒ	ፒ/ኢ፣ ፒ/ፒ	ፒ/ኢ፣ ፒ/ፒ
16	ማሸግ	ነጠላ ዋፈር ኮንቴይነር በአሉሚኒየም ቦርሳ ውስጥ ተዘግቷል.

መስመራዊ ቀመር	ኢንአስ
ሞለኪውላዊ ክብደት	189.74
ክሪስታል መዋቅር	የዚንክ ቅልቅል
መልክ	ግራጫ ክሪስታል ጠንካራ
መቅለጥ ነጥብ	(936-942)°ሴ
የፈላ ነጥብ	ኤን/ኤ
ጥግግት በ 300 ኪ	5.67 ግ / ሴሜ³
የኢነርጂ ክፍተት	0.354 ኢቪ
ውስጣዊ ተቃውሞ	0.16 Ω-ሴሜ
የ CAS ቁጥር	1303-11-3
ኢሲ ቁጥር	215-115-3

ኢንዲየም አርሴንዲድ ኢንአስበዌስተርን ሚንሜታልስ (ኤስ.ሲ.) ኮርፖሬሽን በ2 ኢንች 3" እና 4" (50ሚሜ፣ 75ሚሜ፣100ሚሜ) ዲያሜትር እና እንደ ፖሊክሪስታሊን እብጠት ወይም ነጠላ ክሪስታል እንደ ተቆረጠ፣የተቀረጸ፣የተወለወለ ወይም ኤፒ-ዝግጁ ዋፍሮች ሊቀርብ ይችላል። p-type፣ n-type ወይም un-doped conductivity እና <111> ወይም <100> orientation።ብጁ መግለጫው በዓለም ዙሪያ ላሉ ደንበኞቻችን ፍጹም መፍትሄ ነው።